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비정질 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합의 스위칭 특성Switching Characteristics of Magnetic Tunnel Junction with Amorphous CoFeSiB Free Layer
- Other Titles
- Switching Characteristics of Magnetic Tunnel Junction with Amorphous CoFeSiB Free Layer
- Issue Date
- Dec-2006
- Publisher
- 한국자기학회
- Keywords
- magnetic tunnel junction; tunneling magnetoresistance; switching field; amorphous; CoFeSiB; 자기터널접합; 터널자기저항; 스위칭 자기장; 비정질 물질; CoFeSiB
- Citation
- 한국자기학회지, v.16, no.6, pp 276 - 278
- Pages
- 3
- Journal Title
- 한국자기학회지
- Volume
- 16
- Number
- 6
- Start Page
- 276
- End Page
- 278
- ISSN
- 1598-5385
2233-6648
- Abstract
- 스위칭 특성을 향상시키기 위하여 비정질 강자성 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합 (MTJ)의 스위칭 특성을 연구하였다. 자기터널접합의 구조는 Si/SiO2/Ta 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 7/AlOx/CoFeSiB (t)/Ru 60 (nm)이다. CoFeSiB는 560 emu/cm3 의 낮은 포화자화도와 2800 erg/cm3의 높은 이방성 상수를 가졌다. 이러한 특성이 자기터널접합의 낮은 보자력(Hc)과 높은 자장민감도를 갖게 한다. 이것은 또한 Landau-Lisfschitz-Gilbert 방정식에 근거한 미세자기 전산시뮬레이션을 통하여 submicrometer-sized elements에서도 확인하였다. CoFeSiB 자유층 두께를 증가함으로서 스위칭 특성은 반자화 자기장의 증가로 인하여 더욱더 나빠졌다.
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- Appears in
Collections - ICT융합공학부 > 응용물리전공 > 1. Journal Articles
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