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초록
스위칭 특성을 향상시키기 위하여 비정질 강자성 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합 (MTJ)의 스위칭 특성을 연구하였다. 자기터널접합의 구조는 Si/SiO2/Ta 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 7/AlOx/CoFeSiB (t)/Ru 60 (nm)이다. CoFeSiB는 560 emu/cm3 의 낮은 포화자화도와 2800 erg/cm3의 높은 이방성 상수를 가졌다. 이러한 특성이 자기터널접합의 낮은 보자력(Hc)과 높은 자장민감도를 갖게 한다. 이것은 또한 Landau-Lisfschitz-Gilbert 방정식에 근거한 미세자기 전산시뮬레이션을 통하여 submicrometer-sized elements에서도 확인하였다. CoFeSiB 자유층 두께를 증가함으로서 스위칭 특성은 반자화 자기장의 증가로 인하여 더욱더 나빠졌다.
키워드
magnetic tunnel junction; tunneling magnetoresistance; switching field; amorphous; CoFeSiB; 자기터널접합; 터널자기저항; 스위칭 자기장; 비정질 물질; CoFeSiB
- 제목
- 비정질 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합의 스위칭 특성
- 제목 (타언어)
- Switching Characteristics of Magnetic Tunnel Junction with Amorphous CoFeSiB Free Layer
- 저자
- 황재연; 이장로
- 발행일
- 2006-12
- 저널명
- 한국자기학회지
- 권
- 16
- 호
- 6
- 페이지
- 276 ~ 278