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초록
비정질 강자성 NiFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합 (MTJ)에 대하여 연구하였다. 비정질 자유층이 MTJ의 스위칭 특성에 미치는 영향을 알아보는데 역점을 두어 기존의 CoFe와 NiFe층 대신에 NiFeSiB 자성층을 사용하였다. Ni16Fe62Si8B14는 Co90Fe10보다 더 낮은 포화자화도 (Ms: 800 emu/cm3) 그리고 Ni80Fe20보다 더 높은 이방성 상수 (Ku: 2700 erg/cm3)를 갖는다. Si/SiO2/Ta 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 7/AlOx/NiFeSiB t/Ru 60 (nm) 구조는 그 자체의 낮은 포화자화도와 높은 일축 이방성을 가짐으로 인하여 보자력(Hc)을 감소시키고 스위칭 각형을 증가시키게 함으로서 MTJ의 스위칭 특성에 유리한 것으로 조사되었다. 더욱이 미소두께(1 nm)의 CoFe층을 터널장벽/NiFeSiB 경계면에 삽입하면 TMR비와 스위칭 각형이 증가하고 개선되었다.
키워드
magnetic tunnel junction; tunneling magnetoresistance; switching sensitivity; amorphous; NiFeSiB; 자기터널접합; 터널자기저항; 스위칭 감도; 비정질 물질; NiFeSiB
- 제목
- 강자성 비정질 NiFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합의 스위칭 특성
- 제목 (타언어)
- Characteristics of Magnetic Tunnel Junctions Comprising Ferromagnetic Amorphous NiFeSiB Layers
- 저자
- 황재연; 이장로
- 발행일
- 2006-12
- 저널명
- 한국자기학회지
- 권
- 16
- 호
- 6
- 페이지
- 279 ~ 282